高通於 MWC 2023 通訊大展上，宣布攜手達利思集團（Thales）合作，將在 Snapdragon 8 Gen 2 旗艦行動平台上導入 iSIM（Integrated SIM）技術。該技術與傳統實體 SIM 卡，或是焊接在印電路板（PCB）的 eSIM 規格不同，是將 SIM 卡相關功能元件直接鑲嵌於處理器內，進而實現更高的系統集成度、更高的性能和更大的內部儲存容量。
高通與達利思合作的 iSIM 技術，曾在 2022 年另攜手國外電信業者 Vodafone，於配置 Snapdragon 888 行動平台的 SAMSUNG Galaxy Z Flip3 5G 上進行概念驗證測試；今年於 MWC 2023 通訊大展上所展示的版本則是已經商用。
iSIM 技術將不到 1mm2 面積的通訊元件整合到處理器上，進而減少原先所需實體 SIM 卡槽、eSIM 元件所需空間，讓裝置能更薄、更輕，減少所需能耗；甚至沒了卡槽還能提升防塵防水能力，以及減少 SIM 卡丟失、盜竊問題，並可讓電信業者與產品製造商更好管理門號與設備。
達利思表示，iSIM 技術將首先用於高階創新手機上，首款商用產品就是擁有 iSIM 技術的新版 Snapdragon 8 Gen 2，該行動平台也取得 GSMA（Global Association for the Mobile Communications Industry，GSM 協會）提出的 GSMA Remote SIM Provisioning 標準認證；iSIM 技術也確認後續將下放給中階、入門手機，以及穿戴裝置使用，而首款採用 iSIM 規格的裝置推出時間有還待高通公布。
市調機構 Kaleido Intelligence 之前一份分析報告曾指出，iSIM 規格填補了現有 SIM 與 eSIM 設計的空缺，預估 2027 年的 iSIM 裝置出貨量將超過 3 億台，佔 eSIM 產品總出貨量 45 億台的 19%；並預期有 6.3 億台設備與 iSIM 兼容使用。
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