高通S8 Gen 4傳導入3奈米製程可能會有台積電、三星雙版本

高通在 Snapdragon 8 Gen 1 旗艦行動平台上，選擇三星 4nm 製程，而後續的 Snapdragon 8+ Gen 1、Snapdragon 8 Gen 2 則是改用台積電 4nm 製程；預期將於 10 月底亮相的新一代旗艦行動平台 Snapdragon 8 Gen 3，傳出將繼續與台積電合作，並且採用 4nm 製程。不過，最新消息顯示，高通 2024 年的旗艦行動平台將導入 3nm 技術，且可能同時找來台積電、三星代工。

天風國際分析師郭明錤在最新分析報告中，透露高通在 3nm 晶片開發上，已與高通、三星合作。如前一段所言，目前高通旗下並沒有 3nm 製程產品，即將推出的 Snapdragon 8 Gen 3 傳聞採用 4nm 製程，因此普遍認為郭明錤指的合作案應該為下下代旗艦平台 Snapdragon 8 Gen 4。

來源亦表示，由於高通因為內部裁員、手機市場衰退等因素，為了維持 3nm 晶片開發，因此排擠了等同台積電 3nm 製程的 Intel 20A 晶片的開發資源，所以相關開發案傳聞已經停止，預期將不利於 RibbonFET 與 PowerVia 新技術學習曲線，連帶讓 Intel 18A 的研發與量產事宜的不確定性與風險有所增加，甚至進一步可能對於高通內部技術發展有負面影響。

對於高通 Snapdragon 8 Gen 4 旗艦行動平台可能採用雙版本策略，其實早在今年 4 月底已有相關說法流傳，並傳聞由三星生產版本將採用自家環繞式閘極電晶體（Gate-All-Around FET，GAA FET）架構，且該版本只會用於三星 Galaxy 系列產品上；而由台積電生產版本則是繼續沿用現有 FinFET 架構，來搭配增強型 N3E 3nm 製程，預計將用在其他手機品牌裝置中。

資料來源：郭明錤、Twitter

原文出處：手機王｜作者：布小白

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