三星3奈米晶片2022上半年量產 2025試產2奈米晶片

手機王｜作者：布小白

三星電子昨日（10/7）線上舉行 2021 三星代工論壇（SAMSUNG Foundry Forum 2021）系列活動，三星電子總裁兼晶圓代工業務負責人崔世英博士（Choi Si Young）透露，將於 2022 上半年開始量產首批 3nm 晶片，後續在 2023 年推出第二代 3nm 產品；並規劃 2025 年針對 2nm 技術進行早期量產作業。另表示，將於 11 月再舉行一場安全論壇（SAFE Forum）。

三星的 3nm 工藝製程採用多橋通道場效電晶體（Multi-Bridge-Channel FET，MBCFET）架構，其設計源自於環繞式閘極電晶體（Gate-All-Around FET，GAA FET）架構，預期與現有採用的鰭式場效電晶體（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）的 5nm 工藝製程相比，可減少 35% 節點面積、性能提升 30%、功耗降低 50%。隨著技術純熟，3nm 工藝製程生產良率跟現正量產的 4nm 工藝製程持續接近相同水準。而規劃中的 2nm 工藝製程，也將延續 MBCFET 架構設計。

另外，三星也針對現有技術 FinFET 進行精進，發表 17nm FinFET 工藝技術，透過 3D 晶體架構打造出色性能與功效，相比 28nm 技術，17nm FinFET 可減少 43% 產品面積、提升 39% 性能、增加 49% 電源效率；該項技術能用於 CMOS 感光元件（CMOS Image Sensor，CIS）、顯示器驅動 IC（Display Driver IC，DDI）、微控制器單元（micro controller units，MCUs）等產品。

三星後續也規劃把 FinFET 技術推進至 14nm，預期能支援 3.3V 電壓，或閃存型的嵌入式磁阻式隨機存取記憶體（embedded magnetic random access memory,eMRAM），預期除了可用於微控制器單元，還能使用在物聯網、穿戴裝置等應用上。對於 5G 技術應用，三星也表示其 8nm RF 射頻平台，將從現有 Sub-6GHz 使用擴展到 mmWave 毫米波領域。